TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Polarization resolved photoluminescence in GaAs1−xBix/GaAs quantum wells

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut49-52
Sivumäärä4
JulkaisuJournal of Luminescence
Vuosikerta182
Varhainen verkossa julkaisun päivämäärä13 lokakuuta 2016
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - helmikuuta 2017
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Tiivistelmä

We have investigated polarization resolved photoluminescence (PL) of GaAs1−xBix/GaAs quantum wells (QWs) with different Bi concentrations in the dilute range (x1−xBix/GaAs QWs increase with the increase of Bi concentration. Excitonic gex-factors of 4 and 10 were obtained at 15 T for as-grown GaAs1−xBix/GaAs QWs with 1.2% and 1.9% Bi concentration, respectively. These values evidence an important increase of electron and hole g-factors with the introduction of Bi in GaAs.