TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Properties of the SiO2- and SiNx -capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN / GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli102105
Sivut1-3
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta99
Numero10
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2011
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso

Tilastokeskuksen tieteenalat