TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Quantum-Well Laser Emitting at 1.2 µm-1.3 µm Window Monolithically Integrated on Ge Substrate

Tutkimustuotos: Konferenssiesitys, posteri tai abstrakti

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 2017
Tapahtumaecoc 2017: European Conference on Optical Communication - Gothenburg, Ruotsi
Kesto: 17 syyskuuta 201721 syyskuuta 2017
Konferenssinumero: 43

Conference

Conferenceecoc 2017
MaaRuotsi
KaupunkiGothenburg
Ajanjakso17/09/1721/09/17

Tiivistelmä

We report a quantum-well laser diode monolithically integrated
on Ge substrate. The gain is provided by two GaInNAsSb/GaAs
quantum-wells with emission at 1200 nm-1300 nm. The diode
exhibits continuous-wave operation with mW-level output
power at room temperature.

Tutkimusalat

Tilastokeskuksen tieteenalat