TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Recent progress in wafer-fused VECSELs emitting in the 1310 nm waveband

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoProceedings of SPIE vol. 8966, 2014.
ToimittajatM Guina
JulkaisupaikkaBELLINGHAM
KustantajaSPIE
Sivumäärä7
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2015
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaVertical External Cavity Surface Emitting Lasers - , Iso-Britannia
Kesto: 1 tammikuuta 2015 → …

Julkaisusarja

NimiProceedings of SPIE
KustantajaSPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING
Vuosikerta9349
ISSN (painettu)0277-786X

Conference

ConferenceVertical External Cavity Surface Emitting Lasers
MaaIso-Britannia
Ajanjakso1/01/15 → …

Tiivistelmä

Over the last years we have continuously improved the performance of 1300 nm band VECSELs with wafer fused gain mirrors in the intra-cavity diamond and the flip-chip heat dissipation configurations. In this work we present recent results for gain mirrors that implement both heat-dissipation schemes applied to the same fused gain mirror structure. We demonstrate record high output powers of 7.1 W in the intra-cavity diamond heat-spreader configuration and 6.5 W in the flip-chip heat dissipation scheme. These improvements are achieved due to optimization of the wafer fused gain mirror structure based on AlGaInAs/InP-active region fused to AlAs-GaAs distributed Bragg reflector (DBR) and application of efficient methods of bonding semiconductor gain mirror chips to diamond heatspreaders.

Tutkimusalat

Julkaisufoorumi-taso

Tilastokeskuksen tieteenalat