Role of growth temperature in GSMBE growth of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 209-212 |
Julkaisu | Journal of Crystal Growth |
Vuosikerta | 127 |
Tila | Julkaistu - 1993 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |