Role of growth temperature in GSMBE growth of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | 209-212 |
| Julkaisu | Journal of Crystal Growth |
| Vuosikerta | 127 |
| Tila | Julkaistu - 1993 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |