TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Role of growth temperature in GSMBE growth of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut209-212
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta127
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso