TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Julkaisut

  1. Julkaistu

    0.3 W CW red microchip VECSEL

    Hastie, J. E., Calvez, S., Dawson, M. D., Leinonen, T. & Pessa, M., 2005, CLEO/QELS, Conference on Lasers and Electro-Optics, Baltimore, Maryland, USA, May 22-27, 2005. s. 3 p

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  2. Julkaistu

    0.6V threshold voltage thin film transistors with solution processable indium oxide (In2O3) Channel and Anodized High-κ Al2O3 Dielectric

    Bhalerao, S. R., Lupo, D., Zangiabadi, A., Kymissis, I., Leppäniemi, J., Alastalo, A. & Berger, P. R., 1 heinäkuuta 2019, julkaisussa : IEEE Electron Device Letters. 40, 7, s. 1112-1115 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    0.6 W CW GaInNAs vertical external-cavity surface emitting laser operating at 1.32um

    Hopkins, J. M., Smith, S. A., Jeon, C. W., Sun, H. D., Burns, D., Calvez, S., Dawson, M. D., Jouhti, T. & Pessa, M., 2004, julkaisussa : Electronics Letters. 40, 1, s. 30-31

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  4. Julkaistu

    0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers

    Zhang, G., Näppi, J., Ovtchinnikov, A., Savolainen, P. & Asonen, H., 1992, julkaisussa : Electronics Letters. 28, 23, s. 2171-2172

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    100 år av Finlands byggnadskonst

    Hansson, O., 1980, Tekniska Föreningen i Finland juhlajulkaisu (TFiF stipendi).

    Tutkimustuotos

  6. Julkaistu
  7. Julkaistu

    1.02 um Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers for Perfluorinated Graded-Index POF communications

    Xiang, N., Rajala, L., Lyytikäinen, J., Suomalainen, S., Leinonen, P., Vainionpää, A. & Pessa, M., 2003, Conference Digest, CLEO Europe 2003, June 22-27, 2003, Munich, Germany. France: European Physical Society

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  8. Julkaistu

    1.02-um vertical-cavity surface-emitting lasers with strain-compensated InGaAs quantum wells

    Xiang, N., Leinonen, P., Rajala, L., Lyytikäinen, J. & Pessa, M., 2004, julkaisussa : Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 15, s. 115-117

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  9. Julkaistu

    1040 nm vertical external cavity surface emitting laser based on InGaAs quantum dots grown in the Stranski-Krastanow regime

    Strittmatter, A., Germann, T. D., Pohl, J., Pohl, U. W., Bimberg, D., Rautiainen, J., Guina, M. & Okhotnikov, O. G., 2008, julkaisussa : Electronics Letters. 44, 4, s. 290-291

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  10. Julkaistu

    1.05-um mode-locked Ytterbium fiber laser stabilized with the pulse train from a 1.54-um laser diode

    Rusu, M., Herda, R. & Okhotnikov, O. G., 2004, julkaisussa : Optics Express. 12, 21, s. 5258-5262

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Edellinen 1 2 3 4 5 6 7 8 ...5468 Seuraava
Lataa lista Rajaa hakutulokset 1 000 tai pienemmäksi jotta voit ladata.