TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Julkaisut

  1. Julkaistu

    0,98 myym strained-layer GaInAs/GaInAs/GaInP quantum well lasers

    Zhang, G., Näppi, J., Ovtchinnikov, A., Savolainen, P. & Asonen, H., 1992, julkaisussa : Electronics Letters. 28, 23, s. 2171-2172

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  2. Julkaistu

    0.7-GHz Solution-Processed Indium Oxide Rectifying Diodes

    Li, M., Honkanen, M., Liu, X., Rokaya, C., Schramm, A., Fahlman, M., Berger, P. R. & Lupo, D., 2019, julkaisussa : IEEE Transactions on Electron Devices. 5 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    0.6 W CW GaInNAs vertical external-cavity surface emitting laser operating at 1.32um

    Hopkins, J. M., Smith, S. A., Jeon, C. W., Sun, H. D., Burns, D., Calvez, S., Dawson, M. D., Jouhti, T. & Pessa, M., 2004, julkaisussa : Electronics Letters. 40, 1, s. 30-31

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  4. Julkaistu

    0.6V threshold voltage thin film transistors with solution processable indium oxide (In2O3) Channel and Anodized High-κ Al2O3 Dielectric

    Bhalerao, S. R., Lupo, D., Zangiabadi, A., Kymissis, I., Leppäniemi, J., Alastalo, A. & Berger, P. R., 1 heinäkuuta 2019, julkaisussa : IEEE Electron Device Letters. 40, 7, s. 1112-1115 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    0.3 W CW red microchip VECSEL

    Hastie, J. E., Calvez, S., Dawson, M. D., Leinonen, T. & Pessa, M., 2005, CLEO/QELS, Conference on Lasers and Electro-Optics, Baltimore, Maryland, USA, May 22-27, 2005. s. 3 p

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Edellinen 1...2834 2835 2836 2837 2838 Seuraava
Lataa lista Rajaa hakutulokset 1 000 tai pienemmäksi jotta voit ladata.