TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Julkaisut

  1. Julkaistu

    1.55 um monolithic GaInNAs semiconductor saturable absorber

    Jouhti, T., Konttinen, J., Karirinne, S., Okhotnikov, O. G. & Pessa, M., 2003, julkaisussa : IEE Proceedings Optoelectronics, Special Issue on Physics and Technology Dilute Nitrides for Optical Communications. 150, 1, s. 77-70

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  2. Julkaistu

    1.55 µm GaInNAsSb/GaAs ridge waveguide lasers and semiconductor optical amplifiers for photonic integrated circuits

    Korpijärvi, V-M., Giannoulis, G., Mäkelä, J., Viheriälä, J., Iliadis, N., Avramopoulos, H., Laakso, A. & Guina, M., 2014, IEEE 24th International Semiconductor Laser Conference, ISLC 2014, 7-10 September, 2014, Mallorca, Spain. IEEE, s. 151-152 2 Sivumäärä (IEEE International Semiconductor Laser Conference).

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    140-MHz stretched pulse ytterbium fiber laser operating in the 980-1030 nm spectral range

    Gomes, L. A., Xiang, N., Jouhti, T., Okhotnikov, O. G., Hotoleanu, M., Salomaa, A. & Tammela, S., 2003, Technical Digest Frontiers in Optics, the 87th Optical Society of America annual meeting and exhibit Laser Science XIX, Tucson, Arizona, USA, October 5-9, 2003.

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  4. Julkaistu

    14011 Yhdyskuntasuunnittelun perusteet A (8,0 ov)

    Maula, J., 1999, Unknown Publisher.

    Tutkimustuotos

  5. Julkaistu

    13X- ja Clino-zeoliittien katalysoimien metanolin reaktioiden lopputuotteet kaasukromatografi-massaspektrometreillä

    Harju, M., 1988, Tampere: Tampereen teknillinen korkeakoulu. (TTKK/Lämpötekniikka)

    Tutkimustuotos

  6. Julkaistu

    1.3um InGaAsN/GaAs Edge Emitting and Vertical Cavity Surface Emitting Lasers grown by molecular beam epitaxy

    Peng, C. S., Jouhti, T., Konttinen, J., Li, W. & Pessa, M., 2002, IEEE MBE Xii 2002, International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 15-20, 2002, San Fransisco, USA. IEEE, s. 63-64

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  7. Julkaistu

    1.3-um GaInNAs surface-normal devices

    Calvez, S., Laurand, N., Smith, S. A., Clark, A. H., Hopkins, J-M., Sun, H. D., Dawson, M. D., Jouhti, T., Konttinen, J. & Pessa, M., 2004, julkaisussa : IEE Proceedings - Optoelectronics. 151, 5, s. 442-446

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  8. Julkaistu

    1.3 um GaInNAs monolithic vertical-cavity semiconductor optical amplifier

    Calvez, S., Clark, A. H., Hopkins, J-M., Macaluso, R., Merlin, P., Sun, H. D., Dawson, M. D., Jouhti, T. & Pessa, M., 2003, Indium Phosphide and Related Materials, 12-16 May, 2003, Santa Barbara, USA, Proceedings of IEEE. IEEE, s. 243-246

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  9. Julkaistu

    1.3 um CW GaInNAs VCSEL giving 4.1 mW single transverse mode power

    Merlin, P., Hopkins, J-M., Calvez, S., Sun, H. D., Dawson, M. D., Jouhti, T. & Pessa, M., 2003, Conference Digest, CLEO Europe 2003, June 22-27, 2003, Munich, Germany. France: European Physical Society

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  10. Julkaistu

    1.3 µm mode-locked disk laser with wafer fused gain chip and SESAM

    Rautiainen, J., Lyytikäinen, J., Toikkanen, L., Nikkinen, J., Sirbu, A., Mereuta, A., Caliman, A., Kapon, E. & Okhotnikov, O. G., 2010, CLEO/QELS 2010 Conference, May 16-21, 2010, San Jose, California, USA. Washington, DC: OSA, s. 1-2 2 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Lataa lista Rajaa hakutulokset 1 000 tai pienemmäksi jotta voit ladata.