TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Julkaisut

  1. Julkaistu

    1.3μm U-bend traveling wave SOA devices for high efficiency coupling to silicon photonics

    Viheriälä, J., Tuorila, H., Zia, N., Cherchi, M., Aalto, T. & Guina, M., 2019, Silicon Photonics XIV. Reed, G. T. & Knights, A. P. (toim.). SPIE, IEEE, 109230E. (Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering; painos 10923).

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  2. Julkaistu

    1.3 μm InAs quantum dot semiconductor disk laser

    Blokhin, S. A., Bobrov, M. A., Blokhin, A. A., Kuzmenkov, A. G., Vasil'Ev, A. P., Maleev, N. A., Dudelev, V. V., Soboleva, K. K., Sokolovskii, G. S., Rantamäki, A., Okhotnikov, O. & Ustinov, V. M., 23 elokuuta 2016, s. R317.

    Tutkimustuotos: Konferenssiesitys, posteri tai abstrakti

  3. Julkaistu

    13.5 A 0.35-to-2.6GHz multilevel outphasing transmitter with a digital interpolating phase modulator enabling up to 400MHz instantaneous bandwidth

    Kosunen, M., Lemberg, J., Martelius, M., Roverato, E., Nieminen, T., Englund, M., Stadius, K., Anttila, L., Pallonen, J., Valkama, M. & Ryynänen, J., 2 maaliskuuta 2017, 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference, ISSCC 2017. IEEE, s. 224-225 2 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  4. Julkaistu

    1180nm VECSEL with 50 W output power

    Kantola, E., Leinonen, T., Ranta, S., Tavast, M., Penttinen, J-P. & Guina, M., 2015, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. SPIE, Vuosikerta 9349. 93490U

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    1180 nm GaInNAs quantum well based high power DBR laser diodes

    Viheriälä, J., Aho, A., Virtanen, H., Dumitrescu, M. & Guina, M., 2017.

    Tutkimustuotos: Konferenssiesitys, posteri tai abstrakti

  6. Julkaistu

    10 kA Joints for HTS Roebel Cables

    Murtomaeki, J. S., Kirby, G., van Nugteren, J., Contat, P. A., Fleiter, J., De Frutos, O. S., Pincot, F. O., DeRijk, G., Rossi, L., Ruuskanen, J., Stenvall, A. & Wolf, F., 2018, julkaisussa : IEEE Transactions on Applied Superconductivity. 28, 3

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  7. Julkaistu

    0.6V threshold voltage thin film transistors with solution processable indium oxide (In2O3) Channel and Anodized High-κ Al2O3 Dielectric

    Bhalerao, S. R., Lupo, D., Zangiabadi, A., Kymissis, I., Leppäniemi, J., Alastalo, A. & Berger, P. R., 1 heinäkuuta 2019, julkaisussa : IEEE Electron Device Letters. 40, 7, s. 1112-1115 4 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Edellinen 1...20 21 22 23 24 Seuraava