TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Julkaisut

  1. Julkaistu

    1.2V gigahertz-resonance-ring ICO/VCO

    Tchamov, N. & Jarske, P., 1997, julkaisussa : Electronics Letters. 33, 7, s. 541-542

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  2. Julkaistu

    1.2-um semiconductor disk laser frequency doubled with periodically poled lithium tantalate crystal

    Rautiainen, J., Fedorova, K. A., Nikkinen, J., Eger, D., Korpijärvi, V-M., Rafailov, E. U. & Okhotnikov, O. G., 2010, julkaisussa : IEEE Photonics Technology Letters. 22, 7, s. 453-455

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  3. Julkaistu

    12th International Conference on Composites and Advanced Ceramics

    Lepistö, T. T., Lintula, P. & Mäntylä, T., 1988, Tampereen teknillinen korkeakoulu. 12 Sivumäärä (TTKK, Materiaaliopin laitos; nro 15/1988)

    Tutkimustuotos

  4. Julkaistu

    1,2 µm quantum dot semiconductor disk laser with 0,5 W of output power

    Rautiainen, J., Butkus, M., Mikhrin, S. S., Krestnikov, I. L., Rafailov, E. U. & Okhotnikov, O. G., 2009, EOS Topical Meeting on Lasers, Capri, Italy, 27 - 30 September 2009. s. 2 p

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  5. Julkaistu

    12-Channel GPS Baseband with Acquisition, Tracking and Processor Units in 0.18um CMOS with sub-32m W Typical Power Consumption

    Saastamoinen, I., Roström, J., Järvenpää, J. & Nurmi, J., 2004, Proceedings of an International symposium on Low-Power and High-Speed Chips COOL Chips VII, 14-16 April, 2004, Yokohama, Japan. s. 197-210

    Tutkimustuotos

  6. Julkaistu

    1270 nm quantum dot based semiconductor disk lasers

    Butkus, M., Rautiainen, J., Okhotnikov, O. G., Mikhrin, S. S., Krestnikov, I. L. & Rafailov, E. U., 2010, 22nd IEEE International Semiconductor Laser Conference ISLC, September 26 - 30, 2010, Kyoto, Japan. s. 71-72

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  7. Julkaistu

    12.46. Maan lujitteet

    Koivumäki, O., 1986, RIL 166, Pohjarakenteet. s. 337-352

    Tutkimustuotos

  8. Julkaistu

    1-2-3 -Suprajohteen kiteiden kasvusuunnan määrittäminen

    Laurila, J. & Lepistö, T. K., 1990, Tampere: Tampereen teknillinen korkeakoulu. 10 Sivumäärä (Tampereen teknillinen korkeakoulu, Elektronimikroskopian laitos, Raportti; nro 14/1990)

    Tutkimustuotos

  9. Julkaistu

    1.22 µm GaInNAs saturable absorber mirrors with tailored recovery time

    Puustinen, J., Guina, M., Korpijärvi, V-M., Marcinkevicius, S., Tukiainen, A., Kivistö, S. & Pessa, M., 2010, Emerging Trends and Novel Materials in Photonics, ICO Photonics Delphi, Greece 2009, Oct 7 - 9, 2009. s. 200-203

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  10. Julkaistu

    1.22 µm GaInNAs saturable absorber mirrors with tailored recovery time

    Puustinen, J., Guina, M., Korpijärvi, V-M., Marcinkevicius, S., Albrecht, M., Tukiainen, A., Kivistö, S. & Pessa, M., 2009, 15th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Zakopane, Poland, 8-11 March, 2009. s. 2 p

    Tutkimustuotos

  11. Julkaistu

    1220 nm mode-locked GaInNAs disk laser

    Guina, M., Rautiainen, J., Korpijärvi, V-M., Puustinen, J. & Okhotnikov, O. G., 2009, Photonics West 2009-LASE: Lasers and Applications in Science and Engineering. Solid State Lasers XVIII: Technology and Devices, 24-29 January 2009, San Jose, California, USA. SPIE Proceedings. Clarkson, W. A. (toim.). s. pp. 719316-1-7 7 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  12. Julkaistu
  13. Julkaistu

    120: Experiences of Pulp Flow Measurements with Electromagnetic Flowmeters

    Luntta, E., Nystedt, H. & Halttunen, J., 2003, Chapter 9. Electromagnetic meters. FLOMEKO 2003. The 11th Flomeko Conference, Groningen, Netherlands, 12-14 May, 2003. Netherland, s. 93-99

    Tutkimustuotos

  14. Julkaistu

    1200 nm tunable fibre vertical-cavity surface emitting laser

    Vetter, S. L., Laurand, N., Guina, M., Dawson, M. D. & Calvez, S., 2010, Solid State Lasers XIX: Technology and Devices, 24-28 January 2010, San Francisco, California, USA. Proceedings of SPIE. Bellingham, WA: SPIE, s. 75780Y-1-75780Y-7

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  15. Julkaistu

    11 W single gain element dilute nitride disk laser emitting at 1180 nm

    Leinonen, T., Korpijärvi, V-M., Puustinen, J., Epstein, R. J. & Guina, M., 2011, Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers (VECSELs), Photonics West 2011, Jan 22 - 27, 2011, San Fransisco, CA, USA. Proceedings of SPIE. Keller, U. (toim.). Bellingham, WA: SPIE, s. 1-7 7 Sivumäärä 791905. (Photonics West Conference; painos 7919).

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  16. Julkaistu

    11 W single gain-chip dilute nitride disk laser emitting around 1180 nm

    Korpijärvi, V-M., Leinonen, T., Puustinen, J., Härkönen, A. & Guina, M., 2010, julkaisussa : Optics Express. 18, 25, s. 25633-25641

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  17. Julkaistu

    1180 nm VECSEL with output power beyond 20 W

    Ranta, S., Tavast, M., Leinonen, T., Van Lieu, N., Fetzer, G. & Guina, M., 2013, julkaisussa : Electronics Letters. 49, 1, s. 59-60 2 Sivumäärä

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  18. Julkaistu

    1180nm VECSEL with 50 W output power

    Kantola, E., Leinonen, T., Ranta, S., Tavast, M., Penttinen, J-P. & Guina, M., 2015, Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. SPIE, Vuosikerta 9349. 93490U

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  19. Julkaistu

    1180 nm GaInNAs quantum well based high power DBR laser diodes

    Viheriälä, J., Aho, A., Virtanen, H., Koskinen, M., Dumitrescu, M. & Guina, M., 24 helmikuuta 2017, High-Power Diode Laser Technology XV. Zediker, M. S. (toim.). SPIE, 6 Sivumäärä 100860K. (Proceedings of SPIE; painos 10086).

    Tutkimustuotosvertaisarvioitu

  20. Julkaistu

    1180 nm GaInNAs quantum well based high power DBR laser diodes

    Viheriälä, J., Aho, A., Virtanen, H., Dumitrescu, M. & Guina, M., 2017.

    Tutkimustuotos: Konferenssiesitys, posteri tai abstrakti

Lataa lista Rajaa hakutulokset 1 000 tai pienemmäksi jotta voit ladata.