TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Self-catalyzed growth of GaAs Nanowires on Si Using Lithography-free Patterning: Ultimate Size Uniformity and Controllable Growth Direction

Tutkimustuotos: Konferenssiesitys, posteri tai abstrakti

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - syyskuuta 2018
TapahtumaICMBE 2018 - the 20th International Conference on Molecular beam Epitaxy - Shanghai, Kiina
Kesto: 2 syyskuuta 20187 syyskuuta 2018
http://mbe2018.csp.escience.cn/dct/page/1

Conference

ConferenceICMBE 2018 - the 20th International Conference on Molecular beam Epitaxy
MaaKiina
KaupunkiShanghai
Ajanjakso2/09/187/09/18
www-osoite