TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Strain-compensated InGaAs/GaAsP/GaInAsP/GaInP quantum well lasers (lambda~0.98 myym) grown by gas-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1644-1646
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta62
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso