TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Strained-layer InGaAs/GaInAsP/GaInP quantum well lasers grown by gas-source molecular beam epitaxy

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1405-1407
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta62
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso