Study of growth temperature in gas-source molecular-beam epitaxy growth of InGaAs/GaAs guantum well lasers
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
| Alkuperäiskieli | Englanti |
|---|---|
| Sivut | 967-969 |
| Julkaisu | Applied Physics Letters |
| Vuosikerta | 62 |
| Tila | Julkaistu - 1993 |
| OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |