TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Study of growth temperature in gas-source molecular-beam epitaxy growth of InGaAs/GaAs guantum well lasers

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut967-969
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta62
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso