Study of growth temperature in gas-source molecular-beam epitaxy growth of InGaAs/GaAs guantum well lasers
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 967-969 |
Julkaisu | Applied Physics Letters |
Vuosikerta | 62 |
Tila | Julkaistu - 1993 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |