Switch Simulations of a Double-Barrier Resonant-Tunnel Diode Based Circuit
Tutkimustuotos › › vertaisarvioitu
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 712-717 |
Julkaisu | Journal of Applied Physics |
Vuosikerta | 74 |
Numero | 1 |
Tila | Julkaistu - 1993 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Alkuperäisartikkeli |