TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Temperature sensitivity of strained-layer InGaAs/Ga(In)As(P)/GaInP separate-confinement-heterostructure quantum well lasers (lambda ~ 980 nm)

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut3599-3602
JulkaisuJournal of Applied Physics
Vuosikerta73
TilaJulkaistu - 1993
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Julkaisufoorumi-taso