TUTCRIS - Tampereen teknillinen yliopisto

TUTCRIS

Unintentional boron contamination of MBE-grown GaInP/AlGaInP quantum wells

Tutkimustuotosvertaisarvioitu

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut60-63
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta425
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 syyskuuta 2015
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli

Tiivistelmä

The effects of unintentional boron contamination on optical properties of GaInP/AlGaInP quantum well structures grown by molecular beam epitaxy (MBE) are reported. Photoluminescence and secondary-ion mass spectrometry (SIMS) measurements revealed that the optical activity of boron-contaminated quantum wells is heavily affected by the amount of boron in GaInP/AlGaInP heterostructures. The boron concentration was found to increase when cracking temperature of the phosphorus source was increased. Boron incorporation was enhanced also when aluminum was present in the material.

Tutkimusalat

Julkaisufoorumi-taso

Tilastokeskuksen tieteenalat